GaAs 단결정 성장 장치
한국과학기술연구원
10-2017-0097531
TRL 5
등록일 2025.08.10
epi ready GaAs wafer,EPD,온도 구배 안정화 장치
특허 도면
특허 등록번호: 101956754
특허 문서
기술 개요
본 발명은 GaAs 단결정을 성장시키기 위한 장치로서, 내부가 진공인 관 형태의 앰플; 앰플 하부의 지지대에 안착하여, GaAs의 원재료가 저장되는 도가니; 앰플의 주위에서 앰플을 가열하는 복수의 히터로 구성되는 가열부; 및 도가니의 상부에서, 도가니를 밀봉하는 커버부를 포함하는 GaAs 단결정 성장 장치에 관한 것이다.
주요 특징
본 발명은 GaAs 단결정 성장 장치에 관한 것으로, 구체적으로, GaAs의 원재료가 성장되는 도가니의 상부를 커버 로 밀봉하여, 성장하는 GaAs의 온도 구배를 최소화할 수 있는 GaAs 단결정 성장 장치에 관한 것이다.
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
epi ready GaAs wafer
EPD
온도 구배 안정화 장치
발명자
최원준, 정현석, 김덕준
출원일