유전막 및 이를 구비하는 반도체 메모리 소자와 이들의 형성 방법

특허 등록번호: 102084608

본 발명은 BexM1-xO의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0.5 보다 작은 값을 가지며, 상온 안정상으로 암염(rocksalt) 구조를 가지는, 유전막을 제공한다.

본 발명은 유전막 및 이를 구비하는 반도체 메모리 소자와 이들의 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 메모리 커패시터의 고유전 및 고밴드갭을 동시에 가지는 유전막 및 이를 구비하는 반도체 메모리 소자와 이들의 형성 방법에 관한 것이다.

상태

라이선스 가능

TRL (기술성숙도)

Level 5

판매금액

가격협의

키워드

디램 커패시터 고유전박막

발명자

김성근, 이우철, 김상태, 송현철, 백승협, 최지원, 김진상, 강종윤

출원일

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