플래시 메모리 시스템 및 그것의 양자화 신호 생성 방법
한국과학기술연구원
10-2018-0082975
TRL 5
등록일 2025.08.10
플래시 메모리 암호화 소자, 멀티레벨 양자화 신호 생성,재구성 가능
특허 도면
특허 등록번호: 102124064
특허 문서
기술 개요
본 발명의 실시 예에 따른 플래시 메모리 시스템은, 양자화 신호 생성 동작 시에, 선택 페이지를 프로그램하고, 상기 선택 페이지에 연결되는 선택 워드 라인에 기준 읽기 전압을 제공하고, 상기 선택 페이지를 읽음으로 양자화 신호를 생성하는 플래시 메모리; 및 상기 플래시 메모리로부터 양자화 신호를 입력 받고, 상기 양자화 신호를 이용하여 응답 신호를 생성하는 메모리 컨트롤러를 포함하되, 상기 메모리 컨트롤러는 인증 신호를 호스트로부터 입력 받고, 상기 플래시 메모리가 상기 양자화 신호 생성 동작을 수행하도록 제어할 수 있다.
주요 특징
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 플래시 메모리의 물리적 특성을 이용하여 양자 화 신호를 생성하는 플래시 메모리 시스템에 관한 것이다.
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
플래시 메모리 암호화 소자
멀티레벨 양자화 신호 생성
재구성 가능
발명자
주현수, 이교섭
출원일