저마늄을 이용한 적외선 광 도파관 및 이의 제조 방법

적외선 광 도파관은, 기판; 상기 기판상에 위치하는 클래딩(cladding); 및 저마늄(Ge)을 포함하며, 상기 클래딩상에 직접 위치하는 제1 층 및 상기 제1 층에 비해 폭이 작고 적외선 파장 대역의 광을 구속하도록 구성된 제2 층을 포함하는 코어(core)를 포함한다. 상기 클래딩은 플루오르(F) 또는 이트륨(Y)을 포함하는 물질, 예컨대 칼슘 플루오라이드(CaF2)로 이루어질 수 있다. 상기 적외선 광 도파관은, 종래에 약 2 ㎛ 이하의 파장에 국한되어 광학 전자 집적 회로(OptoElectronic Integrated Circuit; OEIC)의 커버리지(coverage)를 약 10 ㎛ 이상의 파장까지 확장할 수 있어 중적외선 파장 대역에서도 광학 플랫폼(platform)으로 사용될 수 있으며, 다른 전자 소자의 집적이 용이하게 이루어질 수 있고, 기존의 실리콘(Si) 대상 설비를 이용하여 용이하게 제조될 수 있어 원가 절감이 가능하다.

실시예들은 저마늄(Ge)을 이용한 적외선 광 도파관 및 이의 제조 방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 중적 외선 대역과 같은 장파장 대역에서도 광학 플랫폼(platform)으로 사용 가능한 적외선 광 도파관 및 이의 제조 기술에 대한 것이다.