반도체 재료의 도핑농도 측정방법 및 이를 이용한 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록매체
한국과학기술연구원
10-2018-0103697
TRL 5
등록일 2025.08.10
반도체,도핑농도 추출방법, 트랜지스터
특허 도면
특허 등록번호: 102098288
특허 문서
기술 개요
반도체 재료의 도핑농도측정 방법에 있어서, 반도체 재료를 활성층으로 하여 제조된 트랜지스터 구조물에서 게이트전극에 인가되는 게이트 전압에 따른 드레인전류를 측정하고, 측정된 상기 드레인전류를 게이트 전압으로 2번 미분하여 2개의 피크를 구하여, 2개의 피크 사이의 거리를 이용하여 상기 반도체 재료의 도핑농도를 도출하는 단계를 포함하는 방법을 개시한다.
주요 특징
본 발명은 반도체 재료의 도핑농도 측정방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 반도체 재료를 활성층으로 하는 트랜지스터에서 게이트 전압에 따른 드레인전류를 측정한 다음 이를 이용하여 반도체 재료의 도핑 농도를 계 산하는 방법에 관한 것이다.
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
반도체
도핑농도 추출방법
트랜지스터
발명자
전대영, 이승기, 김남동, 이동수, 김태욱
출원일