스커미온 메모리
한국과학기술연구원
10-2018-0109030
TRL 5
등록일 2025.08.10
Skyrmion Memory,STT-MRAM,Spin Memory
특허 도면
특허 등록번호: 102072069
특허 문서
기술 개요
본 발명에 따른 스커미온 메모리는, 비대칭 펄스 면내 전류(assymmetrically pulsed in-plane current)를 인가받는 제1 라인; 제1 라인 상에서 제1 라인과 접촉하며 비대칭 펄스 면내 전류를 통해 내부에 스커미온(skyrmion)을 생성하고 스커미온의 이동을 안내하는 제2 라인; 및 제2 라인 아래에서 제1 라인으로부터 이격하여 제2 라인에 접촉되며, 제2 라인을 통해 제1 라인과 전위차를 유지하여 제2 라인에서 스커미온의 이동을 조절하는 전극 노드를 포함한다.
주요 특징
본 발명은 자성체에 스커미온을 자유롭게 생성시키거나 소멸시켜 데이터의 쓰기 및 읽기 효율성을 향상시키는 스커미온 메모리에 관한 것이다.
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
Skyrmion Memory
STT-MRAM
Spin Memory
발명자
우성훈, 송경미, 최준우, 민병철, 구현철, 장준연
출원일