이차원 나노물질과 더블레이어절연층 수직구조 기반 스위칭 소자
한국과학기술연구원
10-2018-0129067
TRL 5
등록일 2025.08.10
이차원 나노물질,더블레이어절연층,수직구조
특허 도면
특허 등록번호: 102118608
특허 문서
기술 개요
스위칭 소자는 제1 전극 및 이오닉 리퀴드(ionic liquid) 패턴을 포함한다. 상기 제1 전극은 그래핀을 포함한다. 상기 이오닉 리퀴드 패턴은 상기 제1 전극 상에 배치된다. 상기 제1 전극에 전압이 인가되면, 상기 제1 전극과 접촉하는 상기 이오닉 리퀴드 패턴의 제1 영역에 더블 레이어 절연층이 형성되고, 상기 더블 레이어 절연층을 통해 상기 전압에 대응하는 누설 전류가 발생된다. 발생된 누설 전류는 제 1 전극 하부에 수직방향으로 인가된 게이트 전압에 의해 제어된다.
주요 특징
본 발명은 스위칭 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이차원 나노물질과 더블레이어절연층 수직구조를 이용 한 터널링 트랜지스터에 관한 것이다.
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
이차원 나노물질
더블레이어절연층
수직구조
발명자
전대영, 남득현, 김윤정, 안석훈, 구혜영
출원일