2차원 물질로 패시베이션된 할라이드 페로브스카이트 기반 광전소자
한국과학기술연구원
10-2018-0130158
TRL 5
등록일 2025.08.10
페로브스카이트
특허 도면
특허 등록번호: 102108191
특허 문서
기술 개요
실시예들은 기판; 상기 기판 상에 형성된, 빛을 수신하여 전자-정공 쌍을 생성하는 광활성층; 상기 광활성층의 양면에 형성된 전자 전달층과 정공 전달층; 상기 기판과 광활성층 사이에 형성된 제1 전극; 및 상기 광활성층에서 제1 전극의 반대 측에 형성된 패시베이션층을 포함하는 광전소자에 관련된다.
주요 특징
본 발명은 광전소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 확산 방지 특성 및 광학적, 전기적, 기계적 특성 을 가진 2차원 물질(예컨대, 그래핀(graphene), 산화그래핀(graphene oxide) 등)을 이용하여 패시베이션된 (passivated) 할라이드 페로브스카이트 기반 광전소자 및 이를 제조하는 방법에 관련된다.
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
페로브스카이트
발명자
김인수, 이관일, 이상배, 이원석
출원일