단결정 이종 2차원 물질의 애피택셜 성장 방법 및 적층 구조체
두께 대비 큰 측면크기 및/또는 면적을 갖는 2차원 적층 구조체를 제조
특허 도면
특허 등록번호: 10-2270354
특허 문서
기술 개요
단결정 이종 2차원 물질의 애피택셜 성장 방법이 개시된다.
주요 특징
열/표면처리, CVD
협력 희망 분야
한국과학기술연구원
두께 대비 큰 측면크기 및/또는 면적을 갖는 2차원 적층 구조체를 제조
특허 등록번호: 10-2270354
단결정 이종 2차원 물질의 애피택셜 성장 방법이 개시된다.
열/표면처리, CVD
한국과학기술연구원