Ｓｅ 또는 Ｓ계 박막태양전지 및 그 제조방법
한국과학기술연구원
10-2010-0127450
TRL 5
등록일 2026.06.11
CIGS 박막태양전지 모듈 소자 및 제조공정 등
특허 도면
특허 등록번호: 10-1131008
특허 문서
기술 개요
본 발명은 Mo 후면전극 상에 적층되는 광흡수층의 우선배향성을 제어하여 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 Se 또는 S계 박막태양전지는 후면전극과 광흡수층이 순차적으로 적층된 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 후면전극과 광흡수층 사이에 우선배향성 제어층을 구비시키고, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 조절함으로써 광흡수층의 (220)/(204) 우선배향성을 제어하는 것을 특징으로 한다. 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 0.1～20%로 조절하여 광흡수층의 (220)/(204) 우선배향성을 갖는 결정립과 (112) 우선배향성을 갖는 결정립의 비율을 1～24로 제어할 수 있다.
주요 특징
에너지/자원/원자력, 신에너지기술
협력 희망 분야
한국과학기술연구원
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
박막태양전지
광흡수층 제어
CIGS 태양모듈
발명자
정증현, 윤주헌, 김원목, 백영준, 박종극, 정병기
출원일
2010.12.14