자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법
한국과학기술연구원
10-2009-0095703
TRL 5
등록일 2026.06.11
비휘발성 메모리, 자기센서 및 자가기록 장치, 스핀트로닉스 기반 로직 소자 및 차세대 반도체
특허 도면
특허 등록번호: 10-1042338
특허 문서
기술 개요
본 발명은 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 자기터널접합 디바이스는 i) 반전 가능한 자화 방향을 가지는 제1 자성층, ii) 제1 자성층 위에 위치한 비자성층, iii) 비자성층 위에 위치하고 고정된 자화 방향을 가지는 제2 자성층, iv) 제2 자성층 위에 위치하는 산화 방지층, v) 산화 방지층 위에 위치하고, 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 제2 자성층의 자화 방향을 고정시키는 제3 자성층, 및 vi) 제3 자성층 위에 위치하고, 제3 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층을 포함한다.
주요 특징
전자정보소자, 자기저항소자
협력 희망 분야
한국과학기술연구원
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
자기 터널 접합
스핀 트로닉스 소자
비휘발성 메모리
발명자
신일재, 민병철, 신경호
출원일
2009.10.08