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저유전 층간 절연물질 및 그 제조방법

한국과학기술연구원 10-2012-0138346 TRL 5
등록일 2026.06.11

시스템 반도체의 층간절연층 물질, 메모리 반도체의 층간절연물질,항공우주 고내열 고강도 소재

특허 도면
저유전 층간 절연물질 및 그 제조방법 특허 도면

특허 등록번호: 10-1401419

특허 문서
기술 개요

본 발명은 환형 실록산 화합물 또는 비스(트리알콕시실릴)알칸(BTASA), 실란 화합물 및 케이지형 폴리실세스퀴옥산이 결합된 공중합체를 포함하고, 상기 케이지형 폴리실세스퀴옥산이 공극을 형성하는 저유전 층간 절연물질 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 저유전 층간 절연물질은 고강도를 가지면서도 유전율이 낮아, 이를 이용한 절연막은 저유전율일 뿐 아니라 기계적, 전기적, 화학적 및 열적 특성이 우수하여 소자에 유용하게 적용될 수 있다.

주요 특징

화학/화공, 전기전자재료용고분자

협력 희망 분야

한국과학기술연구원

기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
저유전 절연 소재 실록산 공중합체 다공성 절연 구조
발명자
장소현, 알버트이성수, 구종민, 홍순만, 황승상, 백경열, 오성연, 최승석
출원일
2012.11.30
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