전극막 제조 방법 및 이를 이용한 커패시터의 제조 방법
한국과학기술연구원
10-2019-0078603
TRL 5
등록일 2026.06.11
DRAM 등 반도체 메모리
특허 도면
특허 등록번호: 10-2226125
특허 문서
기술 개요
전극막의 제조 방법 및 이를 이용하는 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 전극막 제조 방법은, 기판 상에 주석 전구체 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클(first sub-cycle)을 수행하고, 제1 서브 사이클을 수행한 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하고, 제1 서브 사이클 및 제2 서브 사이클이 하나의 사이클(cycle)을 구성하며, 사이클을 반복 수행하여, 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 것을 포함한다. 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막 내 탄탈륨 농도는 제2 서브 사이클에서 제공되는 주석 전구체에 의해 결정된다.
주요 특징
ASIC 및 소자, 반도체 재료
협력 희망 분야
한국과학기술연구원
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
전극막 형성 공정
탄탈륨 도핑 산화막
커패시터 전극 소재
발명자
김상태, 송현철, 백승협, 최지원, 김진상, 강종윤, 김성근
출원일
2019.07.01