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금속이온 투과방지층을 포함하는 고 이온선택성 복합 고분자 전해질막, 이를 포함하는 바나늄 레독스플로우 전지, 및 이를 포함하는 전기화학적 반응 장치 제조 기술 및 이를 이용한 바나듐 레독스 흐름 전지

한국과학기술연구원 10-2018-0146479 TRL 5
등록일 2026.08.11

레독스플로우전지용 전해질막, dialysis용 이온투과막, 전기화학적 분해용 전해조

특허 도면
금속이온 투과방지층을 포함하는 고 이온선택성 복합 고분자 전해질막, 이를 포함하는 바나늄 레독스플로우 전지, 및 이를 포함하는 전기화학적 반응 장치 제조 기술 및 이를 이용한 바나듐 레독스 흐름 전지 특허 도면

특허 등록번호: 10-2189857

특허 문서
기술 개요

본 명세서에서는 지지체막; 및 상기 지지체막 상에 적층된 금속이온 투과 방지층;을 포함하며, 상기 지지체막은 양이온 전도성 고분자를 포함하는 복합 고분자 전해질막이 제공된다.

주요 특징

전기전자

협력 희망 분야

매매

기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
500 만원
키워드
복합 고분자 전해질막 금속이온 차단층 바나듐 레독스플로우 전지
발명자
안지훈, 하흥용, 쉬라즈메흐붑
출원일
2018.11.23
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