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트랩 준위 밀도가 감소한 양자점 표면을 갖는 광학 소자 및 이를 제조하는 방법

한국과학기술연구원 10-2019-0125941 TRL 5
등록일 2026.08.11

QD-LEDs, QD태양전지, QD디스플레이, QD광디텍터

특허 도면
트랩 준위 밀도가 감소한 양자점 표면을 갖는 광학 소자 및 이를 제조하는 방법 특허 도면

특허 등록번호: 10-2316051

특허 문서
기술 개요

실시예들은 기판; 상기 기판 상에 형성된 하나 이상의 전극; 및 상기 전극에 전기적으로 연결된 양자점 레이어를 포함하고, 상기 양자점 레이어의 표면은 산화 처리된 광학 소자 및 이를 제조하는 방법에 관련된다.

주요 특징

소재

협력 희망 분야

매매

기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
500 만원
키워드
양자점 광학 소자 트랩 준위 저감 표면 산화 처리
발명자
황규원, 황도경, 이경석, 진준영
출원일
2019.10.11
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