커패시터 및 이를 포함하는 메모리 소자
한국과학기술연구원
10-2020-0000617
TRL 5
등록일 2026.08.11
dram 메모리
특허 도면
특허 등록번호: 10-2308177
특허 문서
기술 개요
커패시터 및 이를 포함하는 메모리 소자를 제공한다. 커패시터는 탄탈륨이 도핑된 주석 산화물(Ta-doped SnO2)을 포함하며, 주석 및 탄탈륨 합에 대한 탄탈륨은 1.5 내지 5.5 at%의 농도로 도핑된 하부 전극, 하부 전극 상에 배치되며, 루타일(rutile) 구조의 티타늄 산화물(TiO2) 및 스트론튬 티타늄 산화물(SrTiO3)을 포함하는 유전체층, 및 유전체층 상에 배치되는 상부 전극을 포함한다.
주요 특징
전기전자
협력 희망 분야
매매
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
500 만원
키워드
메모리 커패시터
탄탈륨 도핑 전극
고유전 유전체층
발명자
김성근, 김상태, 송현철, 백승협, 최지원, 김진상, 강종윤
출원일
2020.01.03