저항성 메모리 장치 및 그것의 제조 방법
한국과학기술연구원
10-2018-0142753
TRL 5
등록일 2026.08.11
고집적도 메모리
특허 도면
특허 등록번호: 10-2301109
특허 문서
기술 개요
본 발명의 실시 예에 따른 저항성 메모리 장치는, 제 1 및 제 2 전극; 및 상기 제 1 및 제 2 전극에 인가되는 전압에 따라 산소 공공(oxygen vacancy)에 의한 도전성 경로가 형성되는 가변 저항체를 포함한다. 상기 가변 저항체는 제 1 금속을 제 2 금속에 도핑하거나 상기 제 1 및 제 2 금속이 고용체(solid solution)를 형성하는 금속 산화물층을 포함하고, 상기 금속 산화물층에서 상기 제 1 금속은 상기 제 1 및 제 2 금속의 합의 5~15%의 범위 내이고, 상기 금속 산화물층의 산소는 상기 제 1 및 제 2 금속의 합의 1~2.5배 범위 내이다. 본 발명에 의하면, 포밍 동작을 수행하지 않아도 되는 가변 저항체을 구비함으로, 저항성 메모리 셀의 리텐션 특성을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명은 포밍 동작으로 인한 오버슈팅 전류를 제어함으로써 가변 저항체 내에 작은 사이즈의 도전성 경로를 형성하고, 오프 전류를 줄임으로 읽기 마진을 개선할 수 있다.
주요 특징
전기전자
협력 희망 분야
매매
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
500 만원
키워드
저항성 메모리
산소 공공
가변 저항체
발명자
주현수, 양민규, 한재훈, 이교섭
출원일
2018.11.19