플라즈마 흡착 및 탈착을 통한 이차원 물질의 전자 구조 조절법
한국과학기술연구원
10-2015-0135400
TRL 5
등록일 2025.08.10
FET,dichalcogenide,doping
특허 도면
특허 등록번호: 101708751
특허 문서
기술 개요
본 발명은 이차원 물질(two dimensional material) 상에 할로겐 원소 또는 산소로 플라즈마 흡착하는 단계; 및 상기 이차원 물질 상에 수소로 플라즈마 처리를 하여 상기 수소가 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소와 결합하여 화합물을 만들어 상기 이차원 물질의 표면으로부터 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소를 탈착하는 단계;를 포함하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법을 제공한다.
주요 특징
본 발명은 이차원 물질(two-dimensional material)의 전자 구조 조절법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 이 차원 물질 상에 플라즈마 흡착 및 탈착하는 과정을 통하여 이차원 물질을 n형, p형 또는 중성 도핑된 상태로 가 역적으로 만들거나 이차원 물질의 전자 밴드 구조를 변형시키는 방법에 관한 것이다.
기술 정보
상태
라이선스 가능
TRL (기술성숙도)
Level 5
판매금액
가격협의
키워드
FET
dichalcogenide
doping
발명자
전영민, 김영희, 전영인, 서민아, 이택진
출원일